一霍爾效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)
霍爾效應(yīng)在1879年被美國(guó)物理學(xué)家霍爾發(fā)現(xiàn),當(dāng)電流通過(guò)一個(gè)位于磁場(chǎng)中的導(dǎo)體的時(shí)候,導(dǎo)體中會(huì)產(chǎn)生一個(gè)與電流方向及磁場(chǎng)方向均垂直的電勢(shì)差。且電勢(shì)差的大小與磁感應(yīng)強(qiáng)度的垂直分量及電流的大小成正比。在半導(dǎo)體中,霍爾效應(yīng)更加明顯。
二霍爾效應(yīng)的原理
霍爾效應(yīng)從本質(zhì)上講是運(yùn)動(dòng)的帶電粒子在磁場(chǎng)中受洛侖茲力作用而引起的偏轉(zhuǎn)。當(dāng)帶電粒子(電子或空穴)被約束在固體材料中,這種偏轉(zhuǎn)就導(dǎo)致在垂直電流和磁場(chǎng)方向上產(chǎn)生正負(fù)電荷的聚積,從而形成附加的橫向電場(chǎng),即霍爾電場(chǎng)EH。
電流IS通過(guò)N型或P型霍爾元件,磁場(chǎng)B方向與電流IS方向垂直,且磁場(chǎng)方向由內(nèi)向外,對(duì)于N型半導(dǎo)體及P型半導(dǎo)體,分別產(chǎn)生的方向如左圖和右圖的霍爾電場(chǎng)EH(據(jù)此,可以判斷霍爾元件的屬性——N型或P型)。
FE=eEH,F(xiàn)B=evB,
因此:
eEH=eVB (1)
設(shè)試樣的寬為b,厚度為d,載流子濃度為n ,則:
IS=nevbd ?。?)
由(1)、(2)式可得:
霍爾電勢(shì)差UH=EHb=(1/ne)(ISB/d)=RH(ISB/d)
RH=1/ne是材料的霍爾系數(shù),它是反映材料霍爾效應(yīng)強(qiáng)弱的重要參數(shù)。
對(duì)于固定霍爾元件,厚度d固定,記KH為霍爾元件的霍爾系數(shù),可得:
UH=KHISB ?。?)
即:霍爾電勢(shì)差UH與電流IS及磁感應(yīng)強(qiáng)度B成正比。
三霍爾效應(yīng)的應(yīng)用
利用霍爾效應(yīng),可以制作開(kāi)關(guān)傳感器及線性傳感器。開(kāi)關(guān)型霍爾傳感器廣泛應(yīng)用于位置、位移及轉(zhuǎn)速測(cè)量,線性型霍爾傳感器廣泛應(yīng)用于磁場(chǎng)及電流、電壓的測(cè)量。
近年來(lái),以非工頻、非正弦為主要特征的變頻電量的測(cè)量需求越來(lái)越大,由于電磁式互感器的頻率適用范圍較窄,相比之下,霍爾電壓、電流傳感器的適用頻帶較寬,且可以用于直流測(cè)量,其市場(chǎng)前景廣闊。
然而,對(duì)于復(fù)雜電磁環(huán)境下的變頻電量的精確測(cè)量,由于霍爾傳感器對(duì)磁場(chǎng)較敏感,應(yīng)用時(shí)需要特別注意。此外,由于霍爾電壓、電流傳感器主要用于以控制為目的的電壓、電流的測(cè)量,廠家一般不提供對(duì)功率測(cè)量至關(guān)重要的角差指標(biāo),對(duì)于需要精確測(cè)量功率的場(chǎng)合,需謹(jǐn)慎使用。
國(guó)家變頻電量測(cè)量?jī)x器計(jì)量站對(duì)部分常用型號(hào)的霍爾電壓、電流傳感器進(jìn)行了抽檢,50Hz時(shí),其角差指標(biāo)在20′~240′之間,相比于0.2級(jí)電磁式互感器的10′而言,角差指標(biāo)較差,對(duì)于低功率因數(shù)的場(chǎng)合,對(duì)功率測(cè)量的準(zhǔn)確度影響較大。
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銀河百科:霍爾電壓傳感器
基礎(chǔ)知識(shí):霍爾電壓傳感器原理詳解及特點(diǎn)分析
產(chǎn)品問(wèn)答:開(kāi)環(huán)式及閉環(huán)式霍爾電流傳感器工作原理及磁飽和問(wèn)題
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